Samsung Electronics, líder mundial en tecnología de semiconductores, introdujo por primera vez a la industria mundial, el primer dispositivo de memoria flash NAND de 8 Gbits, basado sobre 4 chips de 2Gbit. Este dispositivo de alta densidad permitirá un nuevo nivel de funcionalidad en subsistemas de almacenamiento diseñados para la demanda de rápido crecimiento para productos de consumo como cámaras digitales, Drivers USB flash, PADs y reproductores de MP3.

“ Los teléfonos celulares y dispositivos digitales basados en la convergencia digital, continúan agregando funciones multimedia como imágenes, música digital y hasta vídeo” dijo Allen Leibovitch, Program Manager para semiconductores en IDC, California. “Las memorias NAND flash están creciendo en popularidad como soluciones de alta densidad y bajo costo para dispositivos móviles, y ahorro de espacio, especialmente para los diseños premium.

Se espera que la producción masiva de los nuevos componentes NAND de 8Gbit de Samsung comience durante el primer trimestre de este año.